2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23
VISHAY
| 13.00 | /шт от 1 шт |
| 11.00 | /шт от 100 шт |
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
RENESAS
| 770.00 | /шт от 1 шт |
| 688.00 | /шт от 2 шт |
BF998, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
Infineon
![BF998, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]](https://doc.platan.ru/img_base/nn_preview/2010059103.jpg)
| 72.00 | /шт от 1 шт |
| 68.00 | /шт от 10 шт |
BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]
Yangjie (YJ)
| 2.00 | /шт от 1 шт |
| 1.26 | /шт от 1000 шт |
BSS131H6327XTSA1, [SOT-23-3] Транзистор MOSFET N-канал 240В 0.11А
Infineon
| 26.00 | /шт от 1 шт |
| 16.80 | /шт от 100 шт |
BSS138, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 50В, 340мА, 350мВт [SOT-23] = ...
Yangjie (YJ)
| 2.00 | /шт от 1 шт |
| 1.20 | /шт от 1000 шт |
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, ...
SEMIHOW
![HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)](https://doc.platan.ru/img_base/view_preview/65.jpg)
| 28.00 | /шт от 1 шт |
| 26.90 | /шт от 50 шт |
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5...
semihow
![HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо S](https://doc.platan.ru/img_base/view_preview/115.jpg)
| 86.00 | /шт от 1 шт |
| 81.00 | /шт от 100 шт |
HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF)
SEMIHOW
![HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF)](https://doc.platan.ru/img_base/view_preview/113.jpg)
| 18.00 | /шт от 1 шт |
| 16.00 | /шт от 200 шт |
IKW75N60TFKSA1, Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт TO-247
Infineon
| 520.00 | /шт от 1 шт |
| 438.00 | /шт от 2 шт |
IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]
Infineon
![IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]](https://doc.platan.ru/img_base/view_preview/128.jpg)
| 130.00 | /шт от 1 шт |
| 104.00 | /шт от 30 шт |
IRF3710PBF, транзистор N канал 100В 57А TO220AB
Infineon
| 130.00 | /шт от 1 шт |
| 114.00 | /шт от 10 шт |
IRF4905PBF, транзистор P канал55В -74А ТО220AB
Infineon
| 120.00 | /шт от 1 шт |
| 98.80 | /шт от 30 шт |
IRF520NPBF, транзистор N канал 100В 9.7А TO220AB
Infineon
| 54.00 | /шт от 1 шт |
| 45.70 | /шт от 30 шт |
IRF5210PBF, транзистор P канал100В -40А ТО220AB
Infineon
| 110.00 | /шт от 1 шт |
| 94.90 | /шт от 30 шт |
IRF5305PBF, транзистор Р канал -55В -31А TO220AB
Infineon
| 84.00 | /шт от 1 шт |
| 75.00 | /шт от 100 шт |
IRF540NPBF, транзистор N канал 100В 33А TO220AB
Infineon
| 56.00 | /шт от 1 шт |
| 39.60 | /шт от 30 шт |
IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF
Infineon
![IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF](https://doc.platan.ru/img_base/view_preview/910002.jpg)
| 130.00 | /шт от 1 шт |
| 108.00 | /шт от 30 шт |
IRF610PBF, транзистор N канал 200В 3.3А TO220AB
Vishay
| 37.00 | /шт от 1 шт |
| 32.80 | /шт от 100 шт |
IRF620PBF, транзистор N канал 200В 5.2А TO220AB
Vishay
| 39.00 | /шт от 1 шт |
| 34.50 | /шт от 70 шт |
IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB
Infineon
| 70.00 | /шт от 1 шт |
| 64.40 | /шт от 30 шт |
IRF7103TRPBF, транзистор 2N канал 50В 3А 130мОм 8-SO
Infineon
| 65.00 | /шт от 1 шт |
| 57.70 | /шт от 20 шт |
IRF7301TRPBF, транзистор 2N канал 20В 5.2А SO8
Infineon
| 110.00 | /шт от 1 шт |
| 94.60 | /шт от 30 шт |
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Infineon
| 150.00 | /шт от 1 шт |
| 136.00 | /шт от 10 шт |
IRF7304TRPBF, транзистор 2P канал -20В -4.7А SO8
Infineon
| 69.00 | /шт от 1 шт |
| 54.50 | /шт от 30 шт |
IRF730PBF, транзистор N канал 400В 5.5А TO220AB
Vishay
| 52.00 | /шт от 1 шт |
| 45.60 | /шт от 30 шт |
IRF7319TRPBF, транзистор N/P канал 30B 6.5/-4.9A SO8
Infineon
| 140.00 | /шт от 1 шт |
| 92.60 | /шт от 15 шт |
IRF7324TRPBF, [SO8] транзистор 2P канал -20В -9А
Infineon
| 380.00 | /шт от 1 шт |
| 359.00 | /шт от 10 шт |
IRF7331PBF, транзистор 2Nкан 20В 7А SO8
Infineon
| 61.00 | /шт от 1 шт |
| 51.10 | /шт от 30 шт |
IRF7342TRPBF, [S0-8] [транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
Infineon
| 38.00 | /шт от 1 шт |
| 34.40 | /шт от 100 шт |
IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8
VBSEMI
| 85.00 | /шт от 1 шт |
| 72.00 | /шт от 30 шт |
IRF7351TRPBF, транзистор 2N канал 60В 8А SO8
Infineon
| 58.00 | /шт от 1 шт |
| 53.90 | /шт от 30 шт |
IRF7401TRPBF, транзистор N канал 20В 8.7А SO8
Китай
| 87.00 | /шт от 1 шт |
| 74.80 | /шт от 80 шт |
| Страница: | На странице: | ||
| 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 | 40 | Все | |
Купить транзисторы полевые импортные в интернет-магазине
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор в отличии от биполярного называют униполярным, так как его работа основана на использовании только основных носителей заряда – либо электронов, либо дырок. Поэтому в полевых транзисторах отсутствуют изменения (накопления и рассасывания) объемного заряда неосновных носителей, оказывающие заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов.
Интернет-магазин Платан предлагает Транзисторы и транзисторы полевые импортные различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.
