CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия |

Информация для заказа
Номенклатурный номер 919761094
Характеристики
Производитель | Mitsubishi |
Макс.напр.к-э,В | 250 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.2 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Структура модуля | одиночный транзистор |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Входная емкость затвора,нФ | 132 |
Драйвер управления | VLA503 |
Защита по току | нет |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 735 |
Максимальный ток эмиттера, А | 900 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.85 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Показать весь текст
Наименование | Цены, руб. с НДС | Условие поставки |
Наличие | Купить |
---|---|---|---|---|
CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия Mitsubishi 919761094 |
от 20 - 8397.74 от 14 - 8675.16 от 8 - 8952.58 от 2 - 9230.00 от 1 - 10300.00 |
со склада | 3 шт. |
Цены указаны с НДС, наличие указано на 14.01.2023 18:02
CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия (печатный каталог ПЛАТАН)
Документация на CM450HA-5F (datasheet)
Сайт производителя: Mitsubishi
Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru
Описание
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.
Посмотреть еще
- Другие товары этого производителя: IGBT модули Mitsubishi
- Вся продукция производителя Mitsubishi
- Посмотреть все Полупроводниковые модули
- Справочник корпусов компонентов
- Посмотреть и скачать электронный каталог
- Посмотреть новинки продукции
Нужна помощь в выборе продукции или подборе аналога?
Обратитесь к нашему консультанту [email protected]
Указано наличие на складе. Цены даны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар по фиксированной цене забронирован на 3 рабочих дня.
- Способы оплаты
Оплатить товар можно:
- Банковским переводом
- Электронными деньгами Яндекс.Деньги
- Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
- Наличными через офисы Евросеть, Связной или через любой платежный терминал, принимающий Яндекс.Деньги
- Пластиковой картой Visa/MasterCard (кроме клиентов из Санкт-Петербурга)
- Доставка по России
Мы работаем с разными грузовыми компаниями:
- экспресс-доставка Major Express
- Деловые линии
- ТК Энергия
- почта России
- терминалы доставки InPost
- Пункты самовывоза
Забрать заказ можно в наших офисах:
- Москва, м.Молодежная, ул.Ивана Франко, д.40, стр.2
- С.-Петербург, ул.Зверинская, д.44
- Политика качества
Платан проводит строгую политику в области качества поставляемой продукции:
- мы являемся официальным дистрибьютором более 20 мировых производителей комплектующих
- на товар, подлежащий гарантийному обслуживанию, срок гарантии составляет 6 месяцев
- мы предоставляем все необходимые сертификаты
- мы поддерживаем собственный сервисный центр